RF1 set
Nahfeldsonden 30 MHz bis 3 GHz
Kurzbeschreibung
Das Set RF1 enthält vier passive Nahfeldsonden zur entwicklungsbegleitenden Messung von E-Feld und Magnetfeld im Bereich von 30 MHz bis 3 GHz auf Elektronikbaugruppen. Die Sondenköpfe des Set RF1 ermöglichen Messungen dicht auf der Elektronikbaugruppe z.B. an einzelnen IC-Pins, Leiterzügen, Bauteilen und deren Anschlüssen zur Lokalisierung von Störaussendungsquellen. Die Feldorientierung und Feldverteilung auf der Elektronikbaugruppe können durch entsprechende Führung der Nahfeldsonden ermittelt werden.
Die Nahfeldsonden sind klein und handlich. Sie haben eine Mantelstromdämpfung. Die Magnetfeldsonden sind elektrisch geschirmt. Die Nahfeldsonden werden an einen Spektrumanalysator oder ein Oszilloskop mit 50 Ω Eingang angeschlossen. Sie besitzen intern keinen 50 Ω Abschlusswiderstand.
Lieferumfang
- 1x RF-K 7-4, H-Feldsonde 30 MHz bis 1 GHz
- 1x RF-U 2.5-2, H-Feldsonde 30 MHz bis 3 GHz
- 1x RF-R 3-2, H-Feldsonde 30 MHz bis 3 GHz
- 1x RF-E 10, E-Feldsonde 30 MHz bis 3 GHz
- 1x SMB-BNC 1 m, Messkabel SMB-BNC
- 1x Case 4, Systemkoffer Nahfeldsonden
Empfohlene Produkte
Technische Parameter
Frequenzbereich | 30 MHz ... 3 GHz |
Anschluss | SMB, male, jack |
Gewicht | 200 g |
Maße (L x B x H) | (17.5 x 14 x 3.5) cm |
Lieferumfang Details
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RF-K 7-4
H-Feldsonde 30 MHz bis 1 GHz
Die Nahfeldsonde RF-K 7-4 erfasst kreisförmig gebogene Magnetfeldlinien, die gegenläufig in den Sondenkopf eintreten. Solche Magnetfeldlinien treten z.B. an Leitungen, stabförmigen Konstruktionsteilen, an Kabelanschlüssen und an Kanten von flächigen Konstruktionsteilen auf. Die Sonde arbeitet ähnlic…
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RF-U 2.5-2
H-Feldsonde 30 MHz bis 3 GHz
Die Nahfeldsonde RF-U 2,5-2 dient der selektiven Messung des HF-Stromes in Leiterzügen, Bauelementeanschlüssen, SMD-Bauteilen und IC-Pins. Der Sondenkopf besitzt einen magnetisch aktiven Spalt von ca. 0,5 mm Breite. Dieser wird zur Messung auf das Messobjekt aufgesetzt.
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RF-R 3-2
H-Feldsonde 30 MHz bis 3 GHz
Die Nahfeldsonde RF-R 3-2 dient der Messung von HF-Magnetfeldern mit hoher Auflösung, die unmittelbar auf der Baugruppe, z.B. im Bereich um Pins und Gehäuse von ICs, Leiterzügen, Stützkondensatoren und EMV-Bauelementen.
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RF-E 10
E-Feldsonde 30 MHz bis 3 GHz
Die Elektrode an der Unterkante des Sondenkopfes der RF-E 10 ist ca. 0,2 mm breit. Damit können kleinste E-Feldquellen lokalisiert werden, z.B. 0,1 mm breite Leiterzüge, einzelne IC-Pins an hochpoligen ICs.